这项先进技术处于微加工的前沿，使用大紫外光谱（通常约为 13.5 纳米）的光在硅晶片上蚀刻极小的特征。 充满信心地进行知识产权研究 咨询时间表 发展与挑战 极紫外（EUV）光刻之旅面临着巨大的挑战。开发该技术 购买马约特岛电子邮件地址 需要研究、创新和巨额投资。 例如，为光刻产生极紫外 EUV 光是一个复杂的过程：它涉及通过将高能激光照射到熔融锡滴上来产生发射所需波长的等离子体。镜子、光掩模等设备的生产和维护精度要求极高。 目录 什么是紫外光刻 (EUVL)？ 发展与挑战 对行业的影响 接受度和未来展望 更广泛的影响 极紫外（EUV）光刻市场格局。
当前市场形势 市场规模和增长 主要市场驱动因素 主要市场参与者 市场挑战和限制 区域洞察 前景 极紫外 (EUV) 光刻专利格局。 专利组合概览 各国专利趋势 EUV 光刻 IP 领域的主要参与者 EUV 光刻技术的最新进展 高 NA（数值孔径）EUV 光刻 使用多触发电阻进行 EUV 光刻图案化 EUV 颗粒碳纳米管 极紫外光刻 (EUV) 最新消息 英特尔从 ASML 收购高级 EUV 扫描仪 $10B 包括用于极紫外光刻中心开发 日立高新技术推出GT2000 DNP 开发 3nm EUV 光刻光掩模工艺 结论 对行业的影响 EUVL的推出对于半导体行业来说是一个博弈者。